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Phys.org Quantum · 양자컴퓨팅

상온 단일전자 메모리 소자 구현…그래핀 기반 2D 설계로 프린지 커패시턴스 극복

중국 연구팀이 그래핀 기반 초박형 트랜지스터를 활용해 상온에서 전자 한 개만으로 정보 비트를 저장·구별할 수 있는 단일전자 메모리 소자를 구현하고 그 결과를 학술지 Science에 발표했다. 기존 단일전자 소자가 극복하지 못했던 프린지 커패시턴스 문제를 2차원 소재의 원자 두께 구조로 해결한 것이 핵심이다.

2026년 7월 29일