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“실리콘 기판” 검색 결과
총 5건의 결과
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뉴스 5
The Quantum Insider · 양자컴퓨팅
탄탈럼·실리콘 기판으로 초전도 큐비트 결맞음 시간 1.68ms 달성
미국 브룩헤이븐 국립연구소 산하 C2QA 센터의 프린스턴대 연구팀이 탄탈럼 금속과 실리콘 기판을 조합해 결맞음 시간 1.68밀리초(ms)를 기록하는 초전도 트랜스몬 큐비트를 구현했다. 이는 기존 최고 수준 대비 약 10배 향상된 수치로, 소재 공학 중심의 접근법이 양자 하드웨어 성능을 비약적으로 끌어올릴 수 있음을 보여준다.
2026년 8월 5일
Quantum Computing Report · 양자컴퓨팅
코넬대, 크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 큐비트 증착 온도 200°C 달성
코넬대 Valla Fatemi 조교수 연구팀이 마그네트론 스퍼터링 공정에서 아르곤 대신 크립톤 가스를 적용해 실리콘 기판 위 α상 탄탈럼 박막의 증착 가능 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 해당 연구는 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 파운드리의 후공정(BEOL) 열예산 범위 안에서 고성능 초전도 큐비트를 제조할 수 있는 경로를 제시했다.
2026년 8월 19일
The Quantum Insider · 양자소재·소자
크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 초전도 칩 증착 온도 절반 낮춰
코넬대학교 연구진이 크립톤 가스를 활용한 스퍼터링 공정을 개발해 탄탈럼 초전도 박막의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 이 연구는 2026년 8월 18일 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 공정과의 통합 가능성을 높인 성과로 평가된다.
2026년 8월 19일
Phys.org Quantum · 양자컴퓨팅
크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 증착 온도 절반 낮춰 양자칩 공정 병목 완화
Cornell대 연구팀이 크립톤 가스를 이온화 매질로 활용한 스퍼터링 기법으로 초전도 금속 탄탈럼의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 해당 연구 결과는 Nature Materials에 2026년 게재됐으며, 양자 칩 양산 공정의 핵심 병목 중 하나를 해소할 수 있는 경로로 평가된다.
2026년 8월 18일
Phys.org Quantum · 양자소재·소자
주석-실리콘 계에서 카이랄 초전도성의 지문 첫 실험 확인
미국 테네시대학교 녹스빌 연구팀이 실리콘 기판 위에 주석 원자 1/3 단층을 증착한 뒤 준입자 간섭 이미징으로 카이랄 초전도성의 특징적 패턴을 실험적으로 확인했다. 이 결과는 2026년 Physical Review X에 게재됐으며, 같은 팀이 2023년 Nature Physics에서 제시한 가설을 실증하는 후속 성과다.
2026년 4월 29일