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“열화” 검색 결과
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뉴스 6

Phys.org Quantum · 양자역학·물리학
오스트리아 과학원 연구진, 양자 열화 플랑크 속도 한계 정보이론으로 첫 수학 증명
오스트리아 과학원의 Paolo Abiuso 연구팀이 양자 시스템이 열평형에 도달하는 속도에 보편적 상한이 존재함을 정보이론 기반으로 수학적으로 증명했다. 이 한계는 환원 플랑크 상수와 볼츠만 상수, 온도에 의해 결정되며, 결과는 2026년 10월 *Nature Physics*에 게재됐다.
9시간 전

The Quantum Insider · 양자컴퓨팅
IonQ, SkyWater Technology 인수 완료…미국 내 양자 반도체 수직계열화 확보
양자 컴퓨팅 기업 IonQ가 미국 최대 순수 국내 반도체 파운드리인 SkyWater Technology 인수를 2026년 7월 31일 완료했다. SkyWater는 IonQ의 완전 자회사로 편입되어 반도체 제조·첨단 패키징 서비스를 지속하며, IonQ는 이번 인수를 통해 양자 칩 제조 공급망을 국내에서 일원화한다는 구상이다.
2026년 7월 31일

Physics World · 양자역학·물리학
반도체 미세공동 속 광자 응축 메커니즘, 쿨롱 산란으로 설명
새 연구가 반도체 마이크로캐비티 안에서 광자들이 단일 양자 상태로 수렴하는 광자 응축 현상의 이론적 메커니즘을 처음으로 체계적으로 규명했다. 상온에서도 작동하는 이 현상은 통신·센싱·정보처리용 양자 광원 개발의 새로운 경로를 제시한다.
2026년 6월 17일

Phys.org Quantum · 양자역학·물리학
주기적 충격에도 가열 거부하는 양자 기체, 다체 동적 국소화 기원 규명
인스브루크대와 저장대 공동 연구팀이 주기적으로 구동되는 극저온 원자 기체가 에너지를 흡수하지 않는 현상—다체 동적 국소화(many-body dynamical localization)—의 미시적 기원을 이론적으로 해명하고, 그 결과를 Physical Review Letters에 발표했다.
2026년 4월 20일

The Quantum Insider · 양자역학·물리학
단일 전자 하나가 실리콘 소자를 손상시키는 양자 메커니즘 규명
UC 샌타바버라 재료공학과 연구팀이 반도체 소자 내 실리콘-수소 결합을 끊는 핵심 원인이 전자의 누적 충격이 아니라 단일 고에너지 전자 하나임을 양자 시뮬레이션으로 밝혀냈다. 이번 연구는 수십 년간 설명되지 않았던 소자 열화 현상의 물리적 기원을 해명하며, 내구성 높은 전자 재료 설계를 위한 예측 도구를 제공한다.
2026년 4월 20일

Phys.org Quantum · 양자역학·물리학
단일 전자가 실리콘 칩 내부 결합을 끊는 양자 메커니즘 규명
UC 산타바바라 연구팀이 반도체 소자의 성능을 점진적으로 저하시키는 '열 캐리어 열화' 현상의 근본 원인을 양자역학적으로 규명했다. 단 하나의 고에너지 전자가 실리콘-수소 결합을 끊을 수 있음을 양자 시뮬레이션으로 입증한 이 연구는 Physical Review B에 편집자 추천 논문으로 게재됐다.
2026년 4월 19일
