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The Quantum Insider · 양자소재·소자

크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 초전도 칩 증착 온도 절반 낮춰

코넬대학교 연구진이 크립톤 가스를 활용한 스퍼터링 공정을 개발해 탄탈럼 초전도 박막의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 이 연구는 2026년 8월 18일 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 공정과의 통합 가능성을 높인 성과로 평가된다.

2026년 8월 19일