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“탄탈럼” 검색 결과
총 7건의 결과
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뉴스 7
The Quantum Insider · 양자컴퓨팅
C2QA, 탄탈럼 초전도 트랜스몬 큐비트 수명 1밀리초 달성…28개 기관 협력 확장
미국 에너지부 산하 브룩헤이븐 국립연구소가 이끄는 양자우위 공동설계센터(C2QA) 소속 프린스턴대 연구팀이 탄탈럼 기반 초전도 트랜스몬 큐비트에서 수명 1밀리초를 초과하는 세계 최고 성능을 달성했다. 2025년 6월 센터장에 선임된 찰스 블랙은 수십 년간의 나노소재·반도체 제조 경험을 바탕으로 확장 가능한 양자 하드웨어 개발을 주도하고 있다.
2일 전
Quantum Computing Report · 양자컴퓨팅
코넬대, 크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 큐비트 증착 온도 200°C 달성
코넬대 Valla Fatemi 조교수 연구팀이 마그네트론 스퍼터링 공정에서 아르곤 대신 크립톤 가스를 적용해 실리콘 기판 위 α상 탄탈럼 박막의 증착 가능 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 해당 연구는 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 파운드리의 후공정(BEOL) 열예산 범위 안에서 고성능 초전도 큐비트를 제조할 수 있는 경로를 제시했다.
2026년 8월 19일
The Quantum Insider · 양자소재·소자
크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 초전도 칩 증착 온도 절반 낮춰
코넬대학교 연구진이 크립톤 가스를 활용한 스퍼터링 공정을 개발해 탄탈럼 초전도 박막의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 이 연구는 2026년 8월 18일 Nature Materials에 게재됐으며, 상용 반도체 공정과의 통합 가능성을 높인 성과로 평가된다.
2026년 8월 19일
Phys.org Quantum · 양자컴퓨팅
크립톤 스퍼터링으로 탄탈럼 증착 온도 절반 낮춰 양자칩 공정 병목 완화
Cornell대 연구팀이 크립톤 가스를 이온화 매질로 활용한 스퍼터링 기법으로 초전도 금속 탄탈럼의 실리콘 기판 증착 온도를 기존 400°C 이상에서 200°C로 낮추는 데 성공했다. 해당 연구 결과는 Nature Materials에 2026년 게재됐으며, 양자 칩 양산 공정의 핵심 병목 중 하나를 해소할 수 있는 경로로 평가된다.
2026년 8월 18일
The Quantum Insider · 양자컴퓨팅
탄탈럼·실리콘 기판으로 초전도 큐비트 결맞음 시간 1.68ms 달성
미국 브룩헤이븐 국립연구소 산하 C2QA 센터의 프린스턴대 연구팀이 탄탈럼 금속과 실리콘 기판을 조합해 결맞음 시간 1.68밀리초(ms)를 기록하는 초전도 트랜스몬 큐비트를 구현했다. 이는 기존 최고 수준 대비 약 10배 향상된 수치로, 소재 공학 중심의 접근법이 양자 하드웨어 성능을 비약적으로 끌어올릴 수 있음을 보여준다.
2026년 8월 5일
Quantum Computing Report · 양자컴퓨팅
NIST 탄탈럼 광자칩 개발, 양자 레이저 소형화와 공급망 리스크를 동시에 조명
미국 국립표준기술연구소(NIST)가 탄탈럼 오산화물(Ta₂O₅)을 박막 리튬 나이오베이트 기판 위에 단일 집적하는 3D 모놀리식 공정으로 칩 규모의 광대역 파장 변환 소자를 구현했다. 이 기술은 양자 컴퓨터 제어에 필수적인 정밀 레이저 시스템의 소형화 가능성을 열었으나, 핵심 소재인 탄탈럼의 공급망 집중도가 새로운 전략적 과제로 부상하고 있다.
2026년 4월 21일
Phys.org Quantum · 양자소재·소자
Caltech, 레이저 증발법으로 초내열 박막 합성 한계 돌파
미국 캘리포니아공과대학교(Caltech) 연구팀이 금속 용접용 고출력 레이저를 활용해 3,000켈빈 이상의 초내열 소재를 기판에 박막으로 증착하는 기술을 처음으로 미국에서 구현했다. 이 기법은 초전도 양자컴퓨터에 쓰이는 나이오븀·탄탈럼 등의 박막 품질 향상에 직결될 수 있어 주목받고 있다.
2026년 4월 16일