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“GaAs” 검색 결과
총 3건의 결과
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뉴스 3

Phys.org Quantum · 양자역학·물리학
ν=1/2 분수 양자홀 상태에서 e/4 준입자 전하, 두 연구실 교차 검증 성공
EPFL·와이즈만 연구소·프린스턴대 공동 연구팀이 갈륨비소(GaAs) 넓은 양자우물에서 형성되는 ν=1/2 분수 양자홀 상태의 준입자 전하가 전자 전하의 4분의 1(e/4)임을 두 독립 실험실에서 동시에 측정해 처음으로 교차 검증하는 데 성공했다. 결과는 Physical Review Letters에 게재됐다.
6일 전

Quantum Computing Report · 양자소재·소자
Innolume, Veeco MBE 시스템 도입으로 양자점 레이저 생산 능력 확장
독일 포토닉스 기업 Innolume이 Veeco Instruments의 GEN2000 분자빔에피택시(MBE) 시스템을 발주하며 도르트문트 캠퍼스의 갈륨비소(GaAs) 기반 양자점 레이저 생산 인프라를 본격적으로 확충하고 있다. 이번 설비 확대는 AI 가속기와 결합하는 초집적 광학(CPO) 수요 증가에 대응하기 위한 조치다.
2026년 7월 23일

Phys.org Quantum · 양자역학·물리학
반도체 양자점에서 라비 진동 '재등장' 현상 최초 실험 입증
독일 파더보른 대학교 연구팀이 반도체 양자점에서 라비 진동의 재등장 현상을 세계 최초로 실험적으로 관측했다. 2007년 이론적으로 예측된 이 현상은 약 18년 만에 실험실에서 확인됐으며, 결과는 피지컬 리뷰 레터스에 게재됐다.
2026년 6월 26일