hBN 결함 단일광자원, 상온에서 99% 식별 가능 확인
국내 GIST 연구팀이 육방정 질화붕소(hBN) 결함의 단일광자 방출이 상온에서 99% 이상 구분 가능함을 분광 실험으로 입증했다. 칩 위 양자광원으로 통합 가능성이 높은 차세대 후보 소재로 부상한다.
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국내 GIST 연구팀이 육방정 질화붕소(hBN) 결함의 단일광자 방출이 상온에서 99% 이상 구분 가능함을 분광 실험으로 입증했다. 칩 위 양자광원으로 통합 가능성이 높은 차세대 후보 소재로 부상한다.