실리콘 스핀 큐비트, 99.9% 단일 게이트 충실도 달성
Delft TU와 Intel 공동연구팀이 28Si 동위원소 박막 위 단일 전자 스핀 큐비트에서 99.9% 단일 큐비트 게이트 충실도를 보고했다. CMOS 공정과의 호환성 덕분에 대량 생산 가능성이 부각되는 플랫폼이다.
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Delft TU와 Intel 공동연구팀이 28Si 동위원소 박막 위 단일 전자 스핀 큐비트에서 99.9% 단일 큐비트 게이트 충실도를 보고했다. CMOS 공정과의 호환성 덕분에 대량 생산 가능성이 부각되는 플랫폼이다.