이중층 물질의 숨겨진 편극으로 비휘발성 홀 스위칭 구현
이중층 SnSe·SnTe 계열 물질에서 게이트 전기장만으로 비선형 홀 효과를 이진(ON/OFF) 방식으로 제어하는 원리가 제시됐다. 자성 없이도 비휘발성 스위칭이 가능해 저전력 양자 소자 설계의 새 방향으로 주목된다.

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이중층 SnSe·SnTe 계열 물질에서 게이트 전기장만으로 비선형 홀 효과를 이진(ON/OFF) 방식으로 제어하는 원리가 제시됐다. 자성 없이도 비휘발성 스위칭이 가능해 저전력 양자 소자 설계의 새 방향으로 주목된다.
