2026년 7월 3일 금요일

#아르곤국립연구소

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양자컴퓨팅오늘의 픽

고체 네온 위 전자 큐비트, 노이즈 수준 반도체 대비 최대 1만 배 낮아

미국 에너지부 산하 아르곤 국립연구소(Argonne National Laboratory)와 노트르담 대학교 공동 연구팀이 고체 네온 표면에 단일 전자를 포획하는 방식의 큐비트 플랫폼의 노이즈 특성을 체계적으로 규명한 결과를 *Nature Electronics*에 발표했다. 이 플랫폼의 노이즈 수준은 대부분의 반도체 기반 큐비트보다 10~1만 배 낮은 것으로 확인됐다.

양자컴퓨팅오늘의 픽

고체 네온 위 전자 큐비트, 반도체 대비 노이즈 최대 1만 배 낮아

미국 아르곤국립연구소(Argonne National Laboratory)가 고체 네온 표면에 단일 전자를 포획하는 방식의 새로운 큐비트 플랫폼을 개발했다. 이 플랫폼은 기존 반도체 기반 큐비트 대비 노이즈가 최대 1만 배 낮으며, 결어긋남 시간(coherence time)은 기존 반도체 큐비트 최고 기록보다 약 1,000배 긴 0.1밀리초를 달성했다고 Nature Electronics에 발표했다.