#ETH 취리히

스위스 ETH 취리히 연구팀이 단일 포획 이온을 활용해 트랩 칩 표면 근방의 전자기 잡음을 3차원으로 정밀 측정하는 기법을 개발하고, 측정 시간 1초 기준 진폭 10나노볼트/미터의 진동 전기장을 검출하는 칩 트랩 분야 사상 최고 감도를 달성했다. 연구 결과는 《Science Advances》에 게재됐다.

ETH 취리히 양자전자학 연구소 조나단 홈 교수팀이 페닝 트랩 속 단일 베릴륨 이온을 프로브로 활용해 양자 칩 표면 인근의 전기장·자기장을 3차원으로 정밀 측정하는 기법을 개발했다. 1초 측정 시간 기준으로 10 나노볼트/미터 수준의 진동 전기장을 감지하며 칩 트랩 환경에서의 감도 기록을 갱신했으며, 연구 결과는 학술지 Science Advances에 게재됐다.

독립적으로 연구를 진행한 두 팀이 리튬-6 페르미온 원자를 이용한 충돌 양자 게이트에서 각각 99.75%와 99.91%의 2큐비트 게이트 충실도를 달성하고 그 결과를 동시에 Nature에 발표했다. 두 수치 모두 양자 오류정정에 필요하다고 여겨지는 기준을 넘어선다.

독일 막스플랑크 양자광학연구소와 스위스 ETH 취리히 연구팀이 페르미온 리튬-6 원자를 이용한 충돌 양자 게이트를 각각 독립적으로 구현하는 데 성공했다. 두 팀 모두 양자 오류 정정의 이론적 기준선을 상회하는 99% 이상의 충실도로 얽힘 연산을 달성했으며, 관련 논문은 각각 학술지 Nature에 게재됐다.