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탄탈럼·실리콘 기판으로 초전도 큐비트 결맞음 시간 1.68ms 달성
미국 브룩헤이븐 국립연구소 산하 C2QA 센터의 프린스턴대 연구팀이 탄탈럼 금속과 실리콘 기판을 조합해 결맞음 시간 1.68밀리초(ms)를 기록하는 초전도 트랜스몬 큐비트를 구현했다. 이는 기존 최고 수준 대비 약 10배 향상된 수치로, 소재 공학 중심의 접근법이 양자 하드웨어 성능을 비약적으로 끌어올릴 수 있음을 보여준다.

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미국 브룩헤이븐 국립연구소 산하 C2QA 센터의 프린스턴대 연구팀이 탄탈럼 금속과 실리콘 기판을 조합해 결맞음 시간 1.68밀리초(ms)를 기록하는 초전도 트랜스몬 큐비트를 구현했다. 이는 기존 최고 수준 대비 약 10배 향상된 수치로, 소재 공학 중심의 접근법이 양자 하드웨어 성능을 비약적으로 끌어올릴 수 있음을 보여준다.
